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Si4435DY
3500
3000
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
0V,    f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = -4.6A
V DS = -15V
2500
2000
1500
C iss
12
8
1000
4
500
C oss
C rss
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
T J = 150 ° C
100
100us
T J = 25 C
1
°
10
1ms
10ms
T J = 150 C
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS = 0 V
1.2
1.4
T A = 25 ° C
°
Single Pulse
1
0.1
1
10
100
4
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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